FJN3302RTA
Producentens produktnummer:

FJN3302RTA

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FJN3302RTA-DG

Beskrivelse:

TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92-3

Lager:

RFQ Online
12837723
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FJN3302RTA Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
10 kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
10 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
250 MHz
Effekt - Maks.
300 mW
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pakke med leverandørenheder
TO-92-3
Basis produktnummer
FJN330

Datablad og dokumenter

Datablade
FJN3302R
Datasheets
FJN3302RTA
HTML datablade
FJN3302RTA-DG

Yderligere Information

Standard pakke
2,000
Andre navne
FJN3302RTACT
2832-FJN3302RTA
FJN3302RTATB
FJN3302RTA-DG

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
infineon-technologies

BCR 196F E6327

TRANS PREBIAS PNP 50V TSFP-3

onsemi

DTA114YET1

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75

onsemi

DTC115TM3T5G

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

onsemi

DTC143ZET1G

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75