Producentens produktnummer:
FDS6900AS-G
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDS6900AS-G-DG
Beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 30V 6.9A, 8.2A 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Lager:
12959306
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDS6900AS-G Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Produkt status
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
6.9A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
600pF @ 15V
Effekt - Maks.
900mW (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Basis produktnummer
FDS69
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
488-FDS6900AS-GTR
2832-FDS6900AS-GTR
2832-FDS6900AS-G-488
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SI7972DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
SI6968BEDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
SI4946CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO
