Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
FDS3912
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDS3912-DG
Beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 100V 3A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Lager:
RFQ Online
12850253
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDS3912 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
632pF @ 50V
Effekt - Maks.
900mW
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Basis produktnummer
FDS39
Datablad og dokumenter
Datasheets
FDS3912
HTML datablade
FDS3912-DG
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
FDS89161
FREMSTILLER
onsemi
ANTAL TILGÆNGELIGT
22674
DELE NUMMER
FDS89161-DG
ENHEDSPRIS
0.60
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDMD8260LET60
MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
EFC2J013NUZTDG
MOSFET 2N-CH 6WLCSP
AO4840
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
AON3816
MOSFET 2N-CH 20V 8DFN