Producentens produktnummer:
FDS3572
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDS3572-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 80 V 8.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Lager:
6770 Stk Nye Originaler På Lager
12849343
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
9yTN
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDS3572 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
80 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
8.9A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1990 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.5W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis produktnummer
FDS35
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
2156-FDS3572-OS
FDS3572-DG
FDS3572CT
FDS3572TR
FDS3572DKR
FAIFSCFDS3572
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
AOTF266L
MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
FQB33N10TM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
FCH104N60
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
