FDS3572
Producentens produktnummer:

FDS3572

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FDS3572-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 80 V 8.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Lager:

6770 Stk Nye Originaler På Lager
12849343
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FDS3572 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
80 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
8.9A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1990 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.5W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-SOIC
Pakke / etui
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis produktnummer
FDS35

Datablad og dokumenter

Yderligere Information

Standard pakke
2,500
Andre navne
2156-FDS3572-OS
FDS3572-DG
FDS3572CT
FDS3572TR
FDS3572DKR
FAIFSCFDS3572

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
alpha-and-omega-semiconductor

AOTF266L

MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F

onsemi

FQB33N10TM

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

onsemi

FCH104N60

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6400L

MOSFET N-CH 30V 8DFN