Producentens produktnummer:
FDP4D5N10C
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDP4D5N10C-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Lager:
670 Stk Nye Originaler På Lager
12849888
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDP4D5N10C Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tube
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
128A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 310µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
5065 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.4W (Ta), 150W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220-3
Pakke / etui
TO-220-3
Basis produktnummer
FDP4D5
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
2156-FDP4D5N10C-488
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
AOB2918L
MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
FQAF16N50
MOSFET N-CH 500V 11.3A TO3PF
BUZ11_R4941
MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
