FDMS86163P

Producentens produktnummer:

FDMS86163P

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FDMS86163P-DG

Beskrivelse:

MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN

Detaljeret Beskrivelse:

P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Lager:

RFQ Online

12848315

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

nb2w

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

FDMS86163P Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Produkt status

Active

FET-type

P-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

100 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

7.9A (Ta), 50A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

59 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±25V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

4085 pF @ 50 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

8-PQFN (5x6)

Pakke / etui

8-PowerTDFN

Basis produktnummer

FDMS86163

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

3,000

Andre navne

FDMS86163PDKR

FDMS86163PTR

FDMS86163PCT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

onsemi

FDFMA3N109

MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

onsemi

FDP150N10A

MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3

infineon-technologies

IPI90N04S402AKSA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3

onsemi

MTD6N20ET4G

MOSFET N-CH 200V 6A DPAK