Producentens produktnummer:
FDMS86150A
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDMS86150A-DG
Beskrivelse:
FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 16A (Ta), 60A (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount Power56
Lager:
3000 Stk Nye Originaler På Lager
12974278
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDMS86150A Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
16A (Ta), 60A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4665 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.7W (Ta), 113W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
Power56
Pakke / etui
8-PowerTDFN
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
488-FDMS86150ADKR
488-FDMS86150ACT
488-FDMS86150ATR
2832-FDMS86150ATR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
PJP2NA60_T0_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
PJL9411_R2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJA3412-AU_R2_000A1
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
