FDMS4D0N12C

Producentens produktnummer:

FDMS4D0N12C

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FDMS4D0N12C-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 120 V 18.5A (Ta), 114A (Tc) 2.7W (Ta), 106W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Lager:

4063 Stk Nye Originaler På Lager

12847102

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

FDMS4D0N12C Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

120 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

18.5A (Ta), 114A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4mOhm @ 67A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 370A

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

82 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

6460 pF @ 60 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

2.7W (Ta), 106W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

8-PQFN (5x6)

Pakke / etui

8-PowerTDFN

Basis produktnummer

FDMS4

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

3,000

Andre navne

FDMS4D0N12COSDKR

FDMS4D0N12C-DG

FDMS4D0N12COSTR

FDMS4D0N12COSCT

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

onsemi

HUFA75339S3ST

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AON2407

MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN

onsemi

NTD4858N-35G

MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK

onsemi

FCPF4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F