Producentens produktnummer:
FDMS3660S
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDMS3660S-DG
Beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 30V 30A, 60A 1W Surface Mount Power56
Lager:
5493 Stk Nye Originaler På Lager
12849701
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDMS3660S Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
30A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.7V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
29nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1765pF @ 15V
Effekt - Maks.
1W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-PowerTDFN
Pakke med leverandørenheder
Power56
Basis produktnummer
FDMS3660
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
FDMS3660SFSTR
FDMS3660SFSCT
FDMS3660SFSDKR
2832-FDMS3660STR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDW2508P
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8TSSOP
AO4822AL_102
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
FDS6890A
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
