FDMC5614P-B8
Producentens produktnummer:

FDMC5614P-B8

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FDMC5614P-B8-DG

Beskrivelse:

FET -60V 100.0 MOHM MLP33
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)

Lager:

12974607
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FDMC5614P-B8 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Obsolete
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1055 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
8-WDFN (3.3x3.3)
Pakke / etui
8-PowerWDFN

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
488-FDMC5614P-B8TR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
onsemi

NVMFWS2D3P04M8LT1G

MV8 P INITIAL PROGRAM

panjit

PJMD990N65EC_L2_00001

650V SUPER JUNCITON MOSFET

panjit

PJQ4465AP_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

inventchip-technology

IV1Q12160T4

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24