FDMA86251

Producentens produktnummer:

FDMA86251

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FDMA86251-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 150 V 2.4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Lager:

13995 Stk Nye Originaler På Lager

12932202

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

FDMA86251 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

150 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

2.4A (Ta)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

5.8 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

363 pF @ 75 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

2.4W (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

6-MicroFET (2x2)

Pakke / etui

6-WDFN Exposed Pad

Basis produktnummer

FDMA86

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

3,000

Andre navne

FDMA86251TR

FDMA86251CT

FDMA86251DKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

fairchild-semiconductor

IRFS640A

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

FDB6021P

MOSFET P-CH 20V 28A TO263AB

renesas-electronics-america

2SK3326(9)AZ

DISCRETE / POWER MOSFET

harris-corporation

IRFU221

N-CHANNEL POWER MOSFET