Producentens produktnummer:
FDI2532
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDI2532-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 79A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Lager:
12836349
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDI2532 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
150 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
8A (Ta), 79A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
5870 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
310W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-262 (I2PAK)
Pakke / etui
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis produktnummer
FDI2532
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
50
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FCU4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
FQP6P25
MOSFET P-CH 250V 6A TO220-3
HUF76429S3S
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
