Producentens produktnummer:
FDD8778
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDD8778-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 25 V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Lager:
12847328
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDD8778 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
25 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
845 pF @ 13 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
39W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-252AA
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis produktnummer
FDD877
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
FDD8778CT
FDD8778TR
FDD8778DKR
2156-FDD8778-OS
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
IPD135N03LGATMA1
FREMSTILLER
Infineon Technologies
ANTAL TILGÆNGELIGT
31780
DELE NUMMER
IPD135N03LGATMA1-DG
ENHEDSPRIS
0.26
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
BSD314SPEL6327HTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6
AOD4128
MOSFET N-CH 25V 60A TO252
FQD10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
