Producentens produktnummer:
FDD86250
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDD86250-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Lager:
1640 Stk Nye Originaler På Lager
12838703
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDD86250 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
150 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
8A (Ta), 50A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2110 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3.1W (Ta), 132W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-252AA
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis produktnummer
FDD862
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
FDD86250-DG
FDD86250CT
FDD86250TR
FDD86250DKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
IPD200N15N3GATMA1
FREMSTILLER
Infineon Technologies
ANTAL TILGÆNGELIGT
51180
DELE NUMMER
IPD200N15N3GATMA1-DG
ENHEDSPRIS
1.19
ERSTATNINGSTYPE
Direct
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDC2512
MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6
HUFA75321D3ST
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
FDS4070N3
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
