FDD3860

Producentens produktnummer:

FDD3860

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FDD3860-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 100 V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Lager:

4493 Stk Nye Originaler På Lager

12839154

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

FDD3860 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

100 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

6.2A (Ta)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

31 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

1740 pF @ 50 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

3.1W (Ta), 69W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

TO-252AA

Pakke / etui

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Basis produktnummer

FDD386

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

2,500

Andre navne

FDD3860TR

2156-FDD3860-OS

FDD3860CT

FDD3860DKR

ONSONSFDD3860

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

onsemi

FQD6N40CTM

MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

onsemi

FDZ493P

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

onsemi

HUFA76432S3S

MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK

onsemi

FQB6N60TM

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK