Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
Frankrig
Spanien
Tyrkiet
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakiet
ltaly
Finland
Russisk
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Holland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Rumænien
Østrig
Belgien
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Congo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Angola
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
FDD3510H
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDD3510H-DG
Beskrivelse:
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252 (DPAK)
Lager:
RFQ Online
12848460
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDD3510H Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel, Common Drain
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
80V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
18nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
800pF @ 40V
Effekt - Maks.
1.3W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pakke med leverandørenheder
TO-252 (DPAK)
Basis produktnummer
FDD3510
Datablad og dokumenter
Datablade
FDD3510H
Datasheets
FDD3510H
HTML datablade
FDD3510H-DG
Yderligere Information
Standard pakke
2,500
Andre navne
FDD3510HTR
2156-FDD3510H-OS
ONSONSFDD3510H
FDD3510HCT
FDD3510HDKR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDY1002PZ
MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F
AO5600EL
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SC89-6
FDS8858CZ
MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC
AOC2804B
MOSFET 2N-CH 4DFN