FDD3510H
Producentens produktnummer:

FDD3510H

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FDD3510H-DG

Beskrivelse:

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252 (DPAK)

Lager:

12848460
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

FDD3510H Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel, Common Drain
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
80V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
18nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
800pF @ 40V
Effekt - Maks.
1.3W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pakke med leverandørenheder
TO-252 (DPAK)
Basis produktnummer
FDD3510

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
2,500
Andre navne
FDD3510HTR
2156-FDD3510H-OS
ONSONSFDD3510H
FDD3510HCT
FDD3510HDKR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
onsemi

FDY1002PZ

MOSFET 2P-CH 20V 830MA SOT563F

alpha-and-omega-semiconductor

AO5600EL

MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SC89-6

onsemi

FDS8858CZ

MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOC2804B

MOSFET 2N-CH 4DFN