FDD13AN06A0

Producentens produktnummer:

FDD13AN06A0

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

FDD13AN06A0-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK

Detaljeret Beskrivelse:

N-Channel 60 V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Lager:

11834 Stk Nye Originaler På Lager

12846530

Anmod om tilbud

Mængde
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer

INDSEND

FDD13AN06A0 Tekniske specifikationer

Kategori

FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er

Producent

onsemi

Emballage

Tape & Reel (TR)

Serie

PowerTrench®

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Afløb til kildespænding (Vdss)

60 V

Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C

9.9A (Ta), 50A (Tc)

Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs

29 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds

1350 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Strømtab (maks.)

115W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheder

TO-252AA

Pakke / etui

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Basis produktnummer

FDD13AN06

Datablad og dokumenter

Datablade

Datasheets

HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke

2,500

Andre navne

FDD13AN06A0DKR

2832-FDD13AN06A0TR

FDD13AN06A0-DG

FDD13AN06A0CT

FDD13AN06A0TR

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterede produkter

onsemi

FDMC8878

MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP

onsemi

FDS3570

MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AO4478

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC

onsemi

FDMS86201

MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN