Producentens produktnummer:
FDC6561AN
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDC6561AN-DG
Beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 30V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Lager:
15661 Stk Nye Originaler På Lager
12848019
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDC6561AN Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Afløb til kildespænding (Vdss)
30V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
220pF @ 15V
Effekt - Maks.
700mW
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pakke med leverandørenheder
SuperSOT™-6
Basis produktnummer
FDC6561
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
3,000
Andre navne
FDC6561ANDKR
2832-FDC6561AN
FDC6561ANCT
FDC6561ANTR
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDMA6023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
AO7600_001
MOSFET N/P-CH 20V 0.9A SC70-6
AON7932_101
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
