Producentens produktnummer:
FDB86102LZ
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FDB86102LZ-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Lager:
800 Stk Nye Originaler På Lager
12836983
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FDB86102LZ Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1275 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
3.1W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-263 (D2PAK)
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
FDB86102
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
800
Andre navne
FDB86102LZTR
FDB86102LZDKR
2156-FDB86102LZ-OS
FDB86102LZCT
ONSFSCFDB86102LZ
FDB86102LZ-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
2SJ661-DL-E
MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD
FDZ193P
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
HUFA75639S3ST
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
