Producentens produktnummer:
FCB110N65F
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
FCB110N65F-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Lager:
4800 Stk Nye Originaler På Lager
12838140
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
FCB110N65F Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Produkt status
Not For New Designs
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 3.5mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4895 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
357W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
TO-263 (D2PAK)
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
FCB110
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
800
Andre navne
FCB110N65FCT
FCB110N65FTR
FCB110N65FDKR
2156-FCB110N65F-OS
ONSONSFCB110N65F
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
STB37N60DM2AG
FREMSTILLER
STMicroelectronics
ANTAL TILGÆNGELIGT
0
DELE NUMMER
STB37N60DM2AG-DG
ENHEDSPRIS
3.16
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
FDP7N60NZ
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
FQPF6N40CF
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
