Producentens produktnummer:
DTD113E
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
DTD113E-DG
Beskrivelse:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Detaljeret Beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Lager:
25000 Stk Nye Originaler På Lager
12934311
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
DTD113E Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forbiaseret Bipolar Transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Modstand - Base (R1)
1 kOhms
Modstand - Emitterbase (R2)
1 kOhms
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
3 @ 5mA, 10V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
500nA
Effekt - Maks.
350 mW
Grad
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pakke med leverandørenheder
TO-92 (TO-226)
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
11,539
Andre navne
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
