BSS123-F169
Producentens produktnummer:

BSS123-F169

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

BSS123-F169-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH SOT23
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Lager:

12997585
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

BSS123-F169 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
73 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
360mW (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
SOT-23-3
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis produktnummer
BSS123

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
2156-BSS123-F169
488-BSS123-F169TR

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative modeller

DELENUMMER
BSS123
FREMSTILLER
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
ANTAL TILGÆNGELIGT
143884
DELE NUMMER
BSS123-DG
ENHEDSPRIS
0.01
ERSTATNINGSTYPE
Parametric Equivalent
DIGI-certificering
Relaterede produkter
goford-semiconductor

GT52N10D5

N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1

goford-semiconductor

GT100N12K

N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5

goford-semiconductor

GT025N06AM

N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.

goford-semiconductor

GT025N06AM

MOSFET N-CH 60V 170A TO-263