2SK4209
Producentens produktnummer:

2SK4209

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

2SK4209-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB

Lager:

RFQ Online
12832685
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
oAFx
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

2SK4209 Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
800 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-3PB
Pakke / etui
TO-3P-3, SC-65-3
Basis produktnummer
2SK4209

Datablad og dokumenter

Datasheets
2SK4209
HTML datablade
2SK4209-DG

Yderligere Information

Standard pakke
100

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative modeller

DELENUMMER
FQA13N80-F109
FREMSTILLER
onsemi
ANTAL TILGÆNGELIGT
76
DELE NUMMER
FQA13N80-F109-DG
ENHEDSPRIS
2.65
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
onsemi

2SK3704

MOSFET N-CH 60V 45A TO220ML

nexperia

BUK7Y3R0-40HX

MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

nexperia

PSMN2R5-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

nexperia

BUK9509-40B,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB