Producentens produktnummer:
2SJ652-1E
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
2SJ652-1E-DG
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Detaljeret Beskrivelse:
P-Channel 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
Lager:
12920749
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2SJ652-1E Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
60 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
-
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
4360 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-220F-3SG
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Basis produktnummer
2SJ652
Yderligere Information
Standard pakke
50
Andre navne
2SJ652-1E-DG
2SJ652-1EOS
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SISS42DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
SUP60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
SUM110P04-05-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
