2SD863F-AE
Producentens produktnummer:

2SD863F-AE

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

2SD863F-AE-DG

Beskrivelse:

BIP NPN 1A 50V
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP

Lager:

15000 Stk Nye Originaler På Lager
12938350
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

2SD863F-AE Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
1 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 500mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
1µA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
160 @ 50mA, 2V
Effekt - Maks.
900 mW
Frekvens - Overgang
150MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pakke med leverandørenheder
3-MP

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
1,664
Andre navne
ONSONS2SD863F-AE
2156-2SD863F-AE

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
Not applicable
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
onsemi

MJ15016G

TRANS PNP 120V 15A TO204

harris-corporation

D44VM10

TRANS NPN 80V 8A TO220AB

nxp-semiconductors

NMBT3906235

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

onsemi

SSV1MMBTA92LT1

SS SOT23 BR XSTR NPN SPCL