Producentens produktnummer:
2SD863F-AE
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
2SD863F-AE-DG
Beskrivelse:
BIP NPN 1A 50V
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Lager:
15000 Stk Nye Originaler På Lager
12938350
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2SD863F-AE Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
1 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
500mV @ 50mA, 500mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
1µA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
160 @ 50mA, 2V
Effekt - Maks.
900 mW
Frekvens - Overgang
150MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pakke med leverandørenheder
3-MP
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1,664
Andre navne
ONSONS2SD863F-AE
2156-2SD863F-AE
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
Not applicable
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
MJ15016G
TRANS PNP 120V 15A TO204
D44VM10
TRANS NPN 80V 8A TO220AB
NMBT3906235
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
