Producentens produktnummer:
2SD1145F-AE
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
2SD1145F-AE-DG
Beskrivelse:
BIP NPN 5A 20V
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 5 A 120MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Lager:
16000 Stk Nye Originaler På Lager
12933880
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2SD1145F-AE Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
5 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
20 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
500mV @ 60mA, 3A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
1µA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
160 @ 500mA, 2V
Effekt - Maks.
900 mW
Frekvens - Overgang
120MHz
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pakke med leverandørenheder
3-MP
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1,401
Andre navne
2156-2SD1145F-AE
ONSONS2SD1145F-AE
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
Not applicable
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
2SA1208S-AE
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SA1462-T1B-A
HIGH SPEED PNP TRANSISTOR
2SC4256
NPN SILICON TRANSISTOR
