Producentens produktnummer:
2SC5706-P-E
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
2SC5706-P-E-DG
Beskrivelse:
TRANS NPN 100V 5A TP
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 400MHz 800 mW Through Hole TP
Lager:
12835898
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2SC5706-P-E Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
5 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
100 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
240mV @ 100mA, 2A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
1µA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
200 @ 500mA, 2V
Effekt - Maks.
800 mW
Frekvens - Overgang
400MHz
Driftstemperatur
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakke med leverandørenheder
TP
Basis produktnummer
2SC5706
Yderligere Information
Standard pakke
500
Andre navne
ONSONS2SC5706-P-E
2156-2SC5706-P-E-ON
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
2SD1685F
TRANS NPN 20V 5A TO126ML
50A02SS-TL-E
TRANS PNP 50V 0.4A 3SSFP
BC237A
TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3
