2SC5706-E
Producentens produktnummer:

2SC5706-E

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

2SC5706-E-DG

Beskrivelse:

TRANS NPN 50V 5A TP
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 400MHz 800 mW Through Hole TP

Lager:

12836842
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

2SC5706-E Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
5 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
240mV @ 100mA, 2A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
1µA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
200 @ 500mA, 2V
Effekt - Maks.
800 mW
Frekvens - Overgang
400MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakke med leverandørenheder
TP
Basis produktnummer
2SC5706

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheets
HTML datablade

Yderligere Information

Standard pakke
500
Andre navne
2SC5706-E-DG
2156-2SC5706-E
2SC5706-EOS

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
onsemi

KSC815OTA

TRANS NPN 45V 0.2A TO92-3

onsemi

BC237_J35Z

TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

onsemi

BC327-016

TRANS PNP 45V 0.8A TO92

onsemi

2N6387

TRANS NPN DARL 60V 10A TO220