Producentens produktnummer:
2SC3600D
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
2SC3600D-DG
Beskrivelse:
NPN SILICON TRANSISTOR
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 100 mA 400MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Lager:
2241 Stk Nye Originaler På Lager
12954178
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2SC3600D Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
200 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
800mV @ 3mA, 30mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
60 @ 10mA, 10V
Effekt - Maks.
1.2 W
Frekvens - Overgang
400MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-225AA, TO-126-3
Pakke med leverandørenheder
TO-126
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
314
Andre navne
ONSSNY2SC3600D
2156-2SC3600D
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
Not applicable
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
2N3752
TRANS 80V 5A TO111
JANTXV2N3637
TRANS PNP 175V 1A TO39
JANKCBF2N3700
TRANS NPN 80V 1A TO18
