2SC3600D
Producentens produktnummer:

2SC3600D

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

2SC3600D-DG

Beskrivelse:

NPN SILICON TRANSISTOR
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 100 mA 400MHz 1.2 W Through Hole TO-126

Lager:

2241 Stk Nye Originaler På Lager
12954178
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

2SC3600D Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
200 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
800mV @ 3mA, 30mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
100nA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
60 @ 10mA, 10V
Effekt - Maks.
1.2 W
Frekvens - Overgang
400MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-225AA, TO-126-3
Pakke med leverandørenheder
TO-126

Datablad og dokumenter

Datablade

Yderligere Information

Standard pakke
314
Andre navne
ONSSNY2SC3600D
2156-2SC3600D

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
Not applicable
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-certificering
Relaterede produkter
general-semiconductor

2N3752

TRANS 80V 5A TO111

microchip-technology

JANTXV2N3637

TRANS PNP 175V 1A TO39

microchip-technology

JANKCBF2N3700

TRANS NPN 80V 1A TO18

microchip-technology

JANTXV2N2946A

TRANS PNP 35V 0.1A TO46