Producentens produktnummer:
2SB507E
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
2SB507E-DG
Beskrivelse:
TRANSISTOR
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 8MHz 1.75 W Through Hole TO-220
Lager:
641 Stk Nye Originaler På Lager
12933215
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2SB507E Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
PNP
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
3 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
60 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
1V @ 200mA, 2A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
5mA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
100 @ 1A, 2V
Effekt - Maks.
1.75 W
Frekvens - Overgang
8MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-220-3
Pakke med leverandørenheder
TO-220
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
641
Andre navne
ONSONS2SB507E
2156-2SB507E
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
PBSS4240X115
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MPS2907RLRM
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2SB1395T-AA
BIP PNP 3A 10V
