Producentens produktnummer:
2SB1216T-E
Product Overview
Producent:
onsemi
Delnummer:
2SB1216T-E-DG
Beskrivelse:
TRANS PNP 100V 4A TP
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Lager:
12837039
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2SB1216T-E Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
4 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
100 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
500mV @ 200mA, 2A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
1µA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
200 @ 500mA, 5V
Effekt - Maks.
1 W
Frekvens - Overgang
130MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakke med leverandørenheder
TP
Basis produktnummer
2SB1216
Datablad og dokumenter
Datasheets
HTML datablade
Yderligere Information
Standard pakke
500
Andre navne
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative modeller
DELENUMMER
2SB1216S-TL-E
FREMSTILLER
onsemi
ANTAL TILGÆNGELIGT
1071
DELE NUMMER
2SB1216S-TL-E-DG
ENHEDSPRIS
0.27
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
