2SB1167T
Producentens produktnummer:

2SB1167T

Product Overview

Producent:

onsemi

Delnummer:

2SB1167T-DG

Beskrivelse:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 130MHz 1.2 W Through Hole TO-126LP

Lager:

158205 Stk Nye Originaler På Lager
12931641
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

2SB1167T Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
onsemi
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
PNP
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
3 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
100 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
1µA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
200 @ 500mA, 5V
Effekt - Maks.
1.2 W
Frekvens - Overgang
130MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-225AA, TO-126-3
Pakke med leverandørenheder
TO-126LP

Datablad og dokumenter

Datablade
Datasheet

Yderligere Information

Standard pakke
951
Andre navne
2156-2SB1167T
ONSONS2SB1167T

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
nxp-semiconductors

BCW61C/DG/B2215

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

harris-corporation

2N6129

NPN POWER TRANSISTOR

onsemi

2SC4075D

NPN SILICON TRANSISTOR

onsemi

2SC4108M

NPN SILICON TRANSISTOR