2PD601ASW,115
Producentens produktnummer:

2PD601ASW,115

Product Overview

Producent:

NXP USA Inc.

Delnummer:

2PD601ASW,115-DG

Beskrivelse:

NOW NEXPERIA 2PD601ASW - SMALL S
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323

Lager:

704258 Stk Nye Originaler På Lager
12981961
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

2PD601ASW,115 Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
NXP Semiconductors
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
100 mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
50 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 100mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
10nA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
290 @ 2mA, 10V
Effekt - Maks.
200 mW
Frekvens - Overgang
100MHz
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Grad
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SC-70, SOT-323
Pakke med leverandørenheder
SOT-323

Datablad og dokumenter

Datablade
2PD601ASW,115 Datasheet

Yderligere Information

Standard pakke
1
Andre navne
NEXNXP2PD601ASW,115
2156-2PD601ASW,115

Miljø- og eksportklassificering

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
microchip-technology

JANSP2N2221AUB

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N2905AP

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N3628

POWER BJT

microchip-technology

JANSP2N3637L

RH SMALL-SIGNAL BJT