PMPB07R3ENAX
Producentens produktnummer:

PMPB07R3ENAX

Product Overview

Producent:

Nexperia USA Inc.

Delnummer:

PMPB07R3ENAX-DG

Beskrivelse:

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020M-6

Lager:

3000 Stk Nye Originaler På Lager
13001002
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

PMPB07R3ENAX Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
30 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
914 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
DFN2020M-6
Pakke / etui
6-UDFN Exposed Pad

Yderligere Information

Standard pakke
3,000
Andre navne
1727-PMPB07R3ENAXCT
1727-PMPB07R3ENAXDKR
1727-PMPB07R3ENAXTR
5202-PMPB07R3ENAXTR
934662428184

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
taiwan-semiconductor

TSM038N03PQ33

30V, 78A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G28N03D3

MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L

onsemi

FDMT800120DC-22897

FET 120V 4.2 MOHM PQFN88

taiwan-semiconductor

TSM80N950CP

800V, 6A, SINGLE N-CHANNEL POWER