Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
DR Congo
Argentina
Tyrkiet
Rumænien
Litauen
Norge
Østrig
Angola
Slovakiet
ltaly
Finland
Belarus
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisk
Belgien
Sverige
Serbien
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Moldova
Tyskland
Holland
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrig
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Portugal
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
JANSR2N7381
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Delnummer:
JANSR2N7381-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
Lager:
RFQ Online
13253619
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
JANSR2N7381 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
490mOhm @ 9.4A, 12V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 12 V
Vgs (maks.)
±20V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
2W (Ta), 75W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Kvalifikation
MIL-PRF-19500/614
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-257
Pakke / etui
TO-257-3
Datablad og dokumenter
Datablade
JANSR2N7381
Yderligere Information
Standard pakke
1
Andre navne
JANSR2N7381-ND
150-JANSR2N7381
Miljø- og eksportklassificering
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
APT10050JVFR
MOSFET N-CH 1000V 19A ISOTOP
APT12057JFLL
MOSFET N-CH 1200V 19A ISOTOP
APT24M80S
MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK
APTM50UM19SG
MOSFET N-CH 500V 163A MODULE