Producentens produktnummer:
JAN2N7335
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Delnummer:
JAN2N7335-DG
Beskrivelse:
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 100V 750mA 1.4W Through Hole
Lager:
12930203
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
JAN2N7335 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
4 P-Channel
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
750mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Effekt - Maks.
1.4W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Kvalifikation
MIL-PRF-19500/599
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Basis produktnummer
2N733
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1
Andre navne
JAN2N7335-MIL
150-JAN2N7335
JAN2N7335-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
AON2812
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 6DFN
SP8K33TB1
MOSFET 2N-CH 60V 8SOP
LP8M3FP8TB1
MOSFET N-CH SOP8G
