Producentens produktnummer:
JAN2N7334
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Delnummer:
JAN2N7334-DG
Beskrivelse:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Detaljeret Beskrivelse:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Lager:
12929658
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
JAN2N7334 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, FET, MOSFET-arrays
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
4 N-Channel
FET-funktion
-
Afløb til kildespænding (Vdss)
100V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
60nC @ 10V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Effekt - Maks.
1.4W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Kvalifikation
MIL-PRF-19500/597
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Pakke med leverandørenheder
MO-036AB
Basis produktnummer
2N733
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1
Andre navne
JAN2N7334-MIL
150-JAN2N7334
JAN2N7334-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SP8M3FU7TB1
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
NDS9957
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
CAB425M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A
