Producentens produktnummer:
JAN2N6800
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Delnummer:
JAN2N6800-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 400V 3A TO39
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 400 V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Lager:
12928976
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
JAN2N6800 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
Military, MIL-PRF-19500/557
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
400 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
34.75 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-39
Pakke / etui
TO-205AF Metal Can
Yderligere Information
Standard pakke
1
Andre navne
JAN2N6800-DG
JAN2N6800-MIL
150-JAN2N6800
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
NTB90N02T4G
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
IPD50P04P413ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
JANTXV2N6800U
MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC