Producentens produktnummer:
JAN2N6798
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Delnummer:
JAN2N6798-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Lager:
12923491
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
JAN2N6798 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
Military, MIL-PRF-19500/557
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
42.07 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-39
Pakke / etui
TO-205AF Metal Can
Yderligere Information
Standard pakke
1
Andre navne
150-JAN2N6798
JAN2N6798-MIL
JAN2N6798-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
NTD50N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
FDS4080N7
MOSFET N-CH 40V 13A 8SO
JANTXV2N7228U
MOSFET N-CH 500V 12A TO267AB
