Producentens produktnummer:
JAN2N6768
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Delnummer:
JAN2N6768-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 400 V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole
Lager:
12954390
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
JAN2N6768 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
400 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Kvalifikation
MIL-PRF-19500/543
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-204AE
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1
Andre navne
150-JAN2N6768
JAN2N6768-MIL
JAN2N6768-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
2SK3105-T1B-A
SMALL SIGNAL FET
AOK125A60
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
SUD06N10-225L-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
