Producentens produktnummer:
JAN2N6766
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Delnummer:
JAN2N6766-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Lager:
12925703
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
JAN2N6766 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
200 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Military
Kvalifikation
MIL-PRF-19500/543
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-3
Pakke / etui
TO-204AE
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1
Andre navne
JAN2N6766-MIL
150-JAN2N6766
JAN2N6766-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
