JAN2N1016B
Producentens produktnummer:

JAN2N1016B

Product Overview

Producent:

Microsemi Corporation

Delnummer:

JAN2N1016B-DG

Beskrivelse:

TRANS NPN 100V 7.5A TO82
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 7.5 A 150 W TO-82

Lager:

12925118
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

JAN2N1016B Tekniske specifikationer

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt bipolære transistorer
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
Military, MIL-PRF-19500/102
Produkt status
Active
Transistor Type
NPN
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
7.5 A
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
100 V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
2.5V @ 1A, 5A
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
1mA
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
20 @ 2A, 4V
Effekt - Maks.
150 W
Frekvens - Overgang
-
Driftstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Pakke med leverandørenheder
TO-82
Basis produktnummer
2N1016

Yderligere Information

Standard pakke
1
Andre navne
1086-16070-DG
1086-16070-MIL
150-JAN2N1016B
1086-16070

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
onsemi

MPSA27

TRANS NPN DARL 60V 0.5A TO92

microsemi

JAN2N1016D

TRANS NPN 200V 7.5A TO82

microchip-technology

JANTXV2N2218AL

TRANS NPN 50V 0.8A TO5

onsemi

MPSA55_D26Z

TRANS PNP 60V 0.5A TO92-3