APT10M09B2VFRG
Producentens produktnummer:

APT10M09B2VFRG

Product Overview

Producent:

Microsemi Corporation

Delnummer:

APT10M09B2VFRG-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Lager:

RFQ Online
13261425
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

APT10M09B2VFRG Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
POWER MOS V®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 2.5mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
9875 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
625W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
T-MAX™ [B2]
Pakke / etui
TO-247-3 Variant

Yderligere Information

Standard pakke
30
Andre navne
150-APT10M09B2VFRG
APT10M09B2VFRG-ND

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
microchip-technology

APT10026L2LLG

MOSFET N-CH 1000V 38A 264 MAX

microchip-technology

APT50M65JLL

MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

microchip-technology

APT50M75JLLU2

MOSFET N-CH 500V 51A SOT227

microchip-technology

APTM20UM03FAG

MOSFET N-CH 200V 580A SP6