Producentens produktnummer:
2N6788
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Delnummer:
2N6788-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39
Lager:
13257258
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2N6788 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
800mW (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-39
Pakke / etui
TO-205AF Metal Can
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1
Andre navne
2N6788-ND
150-2N6788
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
APT58M50JCU3
MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
APT94N65B2C3G
MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
APT6M100K
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220
