Producentens produktnummer:
2N6768
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Delnummer:
2N6768-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 400V 14A TO3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 400 V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Lager:
13256621
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
2N6768 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Microsemi
Emballage
-
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
400 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-3
Pakke / etui
TO-204AE
Basis produktnummer
2N6768
Datablad og dokumenter
Datablade
Yderligere Information
Standard pakke
1
Andre navne
150-2N6768
2N6768-ND
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
APT20M18LVFRG
MOSFET N-CH 200V 100A TO264
APT20M45BVRG
MOSFET N-CH 200V 56A TO247
APT1001RBVRG
MOSFET N-CH 1000V 11A TO247
