Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
DR Congo
Argentina
Tyrkiet
Rumænien
Litauen
Norge
Østrig
Angola
Slovakiet
ltaly
Finland
Belarus
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisk
Belgien
Sverige
Serbien
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Moldova
Tyskland
Holland
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrig
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Portugal
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
JANSF2N3810
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Delnummer:
JANSF2N3810-DG
Beskrivelse:
NPN TRANSISTOR
Detaljeret Beskrivelse:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
Lager:
RFQ Online
13257277
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
JANSF2N3810 Tekniske specifikationer
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolar Transistor Arrays
Producent
Microchip Technology
Emballage
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
2 PNP (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks.)
50mA
Spænding - Kollektoremitternedbrydning (maks.)
60V
Vce-mætning (maks.) @ ib, ic
250mV @ 100µA, 1mA
Strøm - kollektorafbrydelse (maks.)
10µA (ICBO)
DC-strømforstærkning (hFE) (min.) @ ic, vce
150 @ 1mA, 5V
Effekt - Maks.
350mW
Frekvens - Overgang
-
Driftstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grad
Military
Kvalifikation
MIL-PRF-19500/336
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
TO-78-6 Metal Can
Pakke med leverandørenheder
TO-78-6
Basis produktnummer
2N3810
Yderligere Information
Standard pakke
1
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
2N6989
TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
JANS2N2920U
NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS
JAN2N5794U
NPN TRANSISTOR
JANTX2N2060
NPN TRANSISTOR