IXTQ200N10T
Producentens produktnummer:

IXTQ200N10T

Product Overview

Producent:

IXYS

Delnummer:

IXTQ200N10T-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-3P

Lager:

14 Stk Nye Originaler På Lager
12820372
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

IXTQ200N10T Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Littelfuse
Emballage
Tube
Serie
Trench
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
550W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-3P
Pakke / etui
TO-3P-3, SC-65-3
Basis produktnummer
IXTQ200

Datablad og dokumenter

Datablade
IXT(H,Q)200N10T
Datasheets
IXTQ200N10T
HTML datablade
IXTQ200N10T-DG

Yderligere Information

Standard pakke
30

Miljø- og eksportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
infineon-technologies

AUIRF1010EZS

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

littelfuse

IXFK44N50P

MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA

littelfuse

IXTA12N50P

MOSFET N-CH 500V 12A TO263

littelfuse

IXFY30N25X3

MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA