IXFX55N50F
Producentens produktnummer:

IXFX55N50F

Product Overview

Producent:

IXYS

Delnummer:

IXFX55N50F-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 500 V 55A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Lager:

RFQ Online
12864578
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND

IXFX55N50F Tekniske specifikationer

Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Littelfuse
Emballage
-
Serie
HiPerRF™
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
500 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.5V @ 8mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
6700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
560W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
PLUS247™-3
Pakke / etui
TO-247-3 Variant
Basis produktnummer
IXFX55

Datablad og dokumenter

Datablade
IXF(K,X)55N50F
Datasheets
IXFX55N50F
HTML datablade
IXFX55N50F-DG

Yderligere Information

Standard pakke
30
Andre navne
IXFX55N50F-NDR
Q1649656

Miljø- og eksportklassificering

Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterede produkter
vishay-siliconix

IRF520PBF

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRF9Z30

MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB

panasonic

FJ4B01120L1

MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004

panasonic

SK8403180L

MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO