Hjem
Produkter
Producenter
Om DiGi
Kontakt os
Blogs og Indlæg
RFQ/Tilbud
Denmark
Log ind
Selektivt Sprog
Nuværende sprog efter dit valg
Denmark
Skift:
Engelsk
Europa
Storbritannien
DR Congo
Argentina
Tyrkiet
Rumænien
Litauen
Norge
Østrig
Angola
Slovakiet
ltaly
Finland
Belarus
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraine
Slovenien
Tjekkisk
Græsk
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisk
Belgien
Sverige
Serbien
Baskisk
Island
Bosnien
Ungarsk
Moldova
Tyskland
Holland
Irland
Asien / Stillehavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabien
Qatar
Kuwait
Cambodja
Myanmar
Afrika, Indien og Mellemøsten
Forenede Arabiske Emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrig
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Sydamerika / Oceanien
New Zealand
Portugal
Brasilien
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om os
Om os
Vores certificeringer
Introduktion
Hvorfor DiGi
Politik
Kvalitetspolitik
Brugsvilkår
RoHS-overholdelse
Returneringsproces
Ressourcer
Produktkategorier
Producenter
Blogs og Indlæg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmetode
Global forsendelse
Fragtpriser
Ofte stillede spørgsmål
Producentens produktnummer:
IXFH18N65X2
Product Overview
Producent:
IXYS
Delnummer:
IXFH18N65X2-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Lager:
RFQ Online
13270781
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
*
Virksomhed
*
Kontakt navn
*
Telefon
*
E-mail
Leveringsadresse
Besked
(
*
) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
IXFH18N65X2 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Littelfuse
Emballage
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 1.5mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1520 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
290W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheder
TO-247 (IXTH)
Pakke / etui
TO-247-3
Basis produktnummer
IXFH18
Datablad og dokumenter
Datablade
IXF(A,H,P)18N65X2 Datasheet
Building, Home Automation Appl Guide
Yderligere Information
Standard pakke
30
Andre navne
238-IXFH18N65X2
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELENUMMER
FCH190N65F-F155
FREMSTILLER
onsemi
ANTAL TILGÆNGELIGT
415
DELE NUMMER
FCH190N65F-F155-DG
ENHEDSPRIS
2.95
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
SCT3120ALGC11
FREMSTILLER
Rohm Semiconductor
ANTAL TILGÆNGELIGT
6940
DELE NUMMER
SCT3120ALGC11-DG
ENHEDSPRIS
4.30
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
TK20N60W,S1VF
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
15
DELE NUMMER
TK20N60W,S1VF-DG
ENHEDSPRIS
2.83
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
TK16N60W,S1VF
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
30
DELE NUMMER
TK16N60W,S1VF-DG
ENHEDSPRIS
1.71
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DELENUMMER
TK20N60W5,S1VF
FREMSTILLER
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILGÆNGELIGT
8
DELE NUMMER
TK20N60W5,S1VF-DG
ENHEDSPRIS
1.67
ERSTATNINGSTYPE
Similar
DIGI-certificering
Relaterede produkter
IXTX660N04T4
DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-
IXTY02N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
IXTA10P15T-TRL
MOSFET P-CH 150V 10A TO263
IXTT140N10P-TRL
MOSFET N-CH 100V 140A TO268