Producentens produktnummer:
SPB17N80C3ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Delnummer:
SPB17N80C3ATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Detaljeret Beskrivelse:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Lager:
1942 Stk Nye Originaler På Lager
12806895
Anmod om tilbud
Mængde
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
Vi vender tilbage til dig inden for 24 timer
INDSEND
SPB17N80C3ATMA1 Tekniske specifikationer
Kategori
FET'er, MOSFET'er, Enkelt FET'er, MOSFET'er
Producent
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til kildespænding (Vdss)
800 V
Strøm - Kontinuerlig dræning (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drevspænding (maks. Rds tændt, min. Rds tændt)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.9V @ 1mA
Gate-opladning (Qg) (maks.) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Indgangskapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2300 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Strømtab (maks.)
227W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheder
PG-TO263-3-2
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis produktnummer
SPB17N80
Datablad og dokumenter
Yderligere Information
Standard pakke
1,000
Andre navne
SPB17N80C3INCT
SPB17N80C3ATMA1DKR
SP000013370
SPB17N80C3XTINCT
SPB17N80C3INTR-NDR
SPB17N80C3INTR
SPB17N80C3ATMA1TR
SPB17N80C3XTINCT-DG
SPB17N80C3XT
SPB17N80C3
SPB17N80C3INDKR
SPB17N80C3INDKR-DG
SPB17N80C3XTINTR
SPB17N80C3ATMA1CT
SPB17N80C3INCT-NDR
SPB17N80C3T
SPB17N80C3INTR-DG
SPB17N80C3XTINTR-DG
SPB17N80C3INCT-DG
Miljø- og eksportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fugtfølsomhedsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-certificering
Relaterede produkter
SPS03N60C3
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
SPD03N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
SPW17N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3